フォノンと中性子散乱

1. 光散乱：広い振動数領域におけるk 0近傍のフォノン
2. X線散乱：広いk領域における低振動数フォノン
3. 中性子非弾性散乱：広い振動数領域，広いk領域に　おけるフォノン

中性子とフォノンの非弾性散乱におけるエネルギーと運動量の保存則

$${\hbar^{2}k^{2} \over{2m_{\rm n}}} \pm \hbar\omega_{\mbox{\boldma... ...,\ \ \ \mbox{\boldmath$k$}_{0} \pm \hbar{bold k} = \hbar\mbox{\boldmath$k$}_{1}$$ (2.4.64)

中性子非弾性散乱強度

$$\hbar\omega = {\hbar^{2} \over{2m_{\rm n}}}(k_{1}^{2} - k_{0}^{2}) = \pm\omega_{\mbox{\boldmath$k$}s},$$ (2.4.65)

$$I_{\rm n} = {I_{0}N\hbar \over{R^{2}}}\sum_{s}{\langle n_{\mbox{\... ...{hkl} \pm \mbox{\boldmath$k$})\delta(\omega \pm \omega_{\mbox{\boldmath$k$}s}),$$ (2.4.66)

cf. X線散漫散乱強度の表式において， X線の散乱振幅： $I_{\rm e}1/2f \longleftarrow$ 中性子線の散乱振幅： $I_{0}^{1/2}f{\rm n}/R$

$\delta(\omega \pm \omega_{\mbox{\boldmath$k$}s})$の付加

図 2.4: 古典的磁石と電子スピン磁石