宿題
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導体と境界条件
原点O(0,0,0)を中心とした半径Rの導体球に電荷+Qを帯電させた。
- 点Oを中心とする半径r( ≧ R )の球面を考える。球面上の点Pにおける
電場ベクトルをE(r)、球面の微小面積素片をdSとして、ガウスの法則
を書きなさい。
ヒント: 球面の法線ベクトルはr/r。
- 電場ベクトルE(r)を求めなさい。
ヒント: 対称性から電場ベクトルE(r)
は球面に垂直。
- 導体表面の電荷密度σを求めなさい。
ヒント: 対称性から導体表面の電荷分布は
一様分布。
- 電荷密度σを使って導体表面の電場ベクトルES
を求めなさい。また、ベクトルESとE(R)が一致す
ることを示しなさい。
ヒント: 導体表面を挟む底面積dSの微小円柱を
考え、ガウスの法則を応用。
導体と静電誘導
原点O(0,0,0)を中心とした半径Rの導体球の内側に半径R'(<R)の同心の空洞を
作り、点Oに電荷+qを置いた。このとき、導体球内側表面には静電誘導によりq'
の誘導電荷が生じた。
- 点Oを中心とする半径r'(R'<r'< R)の球面を考える。球面上の点P'
における電場ベクトルをE(r')、球面の微小面積素片をdS'として、
ガウスの法則を書きなさい。
ヒント: 球面の法線ベクトルはr'/r'。
- 点P'は導体内部の点なので、電場ベクトルE(r')はゼロとなる。
導体球内側表面の誘導電荷q'を求めなさい。
ヒント:球面内部の全電荷はq+q'。
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