シリコン量子ドットフローティングゲートMOSキャパシター
シリコンナノデバイスはキャリア閉じ込めによるユニークな特性を示し、発光素子、ナノワイヤトランジスタ、メモリー素子として研究開発され、一部は実用に供されています。
私達は下図に示すようなシリコン量子ドットフローティングゲートMOSキャパシターの二次元電子ガス（2DEG)層とシリコンドット間のトンネル現象を調べました。光照射効果、温度依存性等の結果から、二次元電子ガスの時間的空間的揺らぎがトンネル確率に関わる可能性を指摘しました。
[ECS Transactions 25 (7) 463 – 469, (2009), ECS Transactions 28 (1) 73-79 (2010), ECS Transactions 28 (1) 369-374 (2010)]
シリコンナノワイヤ
サイズのスケールダウンによって電界効果トランジスタのスイッチoff時のリーク電流が増大することが消費電力の増大につながり大きな問題となっています。リーク電流を抑えるためにゲート電極をナノワイヤの周囲に形成できるシリコンナノワイヤFETは優れた構造です。また、ナノワイヤ構造はシリコン発光デバイスとしても有力視されています。私達はこのシリコンナノワイヤの発光特性を顕微分光法により調べました。顕微分光は、シリコンナノワイヤの界面欠陥の評価手法としても有効であることが示されました。
[Optics Express 22 (2) 1997-2006 (2014)]